Numéro
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 9, September 1993
Page(s) 1825 - 1832
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp3:1993242
DOI: 10.1051/jp3:1993242
J. Phys. III France 3 (1993) 1825-1832

Low noise ohmic contacts on n and p type GaSb

M. Rolland1, S. Gaillard1, E. Villemain1, D. Rigaud2 and M. Valenza2

1  Equipe de Microoptoélectronique de Montpellier (CNRS URA 392) Université de Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
2  Centre d'Electronique de Montpellier (CNRS URA 391) Université de Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France

(Received 10 November 1992, revised 25 January 1993, accepted 26 January 1993)

Abstract
Several metallization systems for producing ohmic contacts onto GaSb have been investigated. The minimization of contact resistivity was respectively obtained with Au-Zn on p type and Au-Te on n type. It has been shown that these results are due to an overdoped layer at the semiconductor surface. Low frequency noise measurements pointed out that the techniques used allow the realization of devices without 1/f contact noise.

Résumé
Plusieurs processus technologiques ont été étudiés pour élaborer des contacts ohmiques sur GaSb. Les résistivités de contact les plus faibles ont été obtenues avec un alliage AuZn sur GaSb de type p et un alliage Au-Te sur le type n. L'analyse des résultats montre que ces faibles résistivités sont dues à l'existence d'une zone surdopée à la surface du contact. L'analyse basse fréquence du bruit indique que les techniques utilisées nous permettent d'obtenir des contacts ne présentant pas de bruit en 1/f.



© Les Editions de Physique 1993