Issue J. Phys. III France Volume 3, Number 9, September 1993 Page(s) 1803 - 1808 DOI 10.1051/jp3:1993239

DOI: 10.1051/jp3:1993239
J. Phys. III France 3 (1993) 1803-1808

Dislocation slipping, a new technique to produce step-like surfaces, compatible with quantum confinement sizes

F. Voillot¹, M. Goiran¹, C. Guasch¹, J. P. Peyrade¹, L. Dinh¹, A. Rocher² and E. Bedel<sup>3

1</sup>  Laboratoire de Physique des Solides, INSA de Toulouse, 31077 Toulouse Cedex, France
²  CEMES-LOE, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
³  L.A.A.S. du C.N.R.S., 7 avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France

(Received 10 November 1992, accepted 9 February 1993)

Abstract
We propose a method to generate steps at the surface of GaAs single crystals. This method is based on plasticity properties of GaAs. In the simple slip condition, the { . T.E.M. observations of these surfaces by replica technique allow to observe very homogeneous regions, over 20  m ² with step height h = 200 Å and step width  Å. Those geometrical dimensions are compatible with the quantum confinement and make the obtained surfaces alternate solutions to vicinal surfaces or high-index surfaces used to obtain quantum lines by direct growth.

Résumé
Nous proposons une méthode de génération de marches sur une surface de GaAs monocristallin. Cette méthode est basée sur la plasticité de monocristaux de GaAs. Dans les conditions de glissement simple, les surfaces { . L'observation au M.E.T. de cette surface par la technique des répliques permet de voir des zones très homogènes sur plus de 20  m ², avec des marches de hauteur h = 200 Å et de largeur  Å. Ces dimensions sont compatibles avec le confinement quantique et les surfaces ainsi obtenues sont une alternative aux surfaces vicinales ou à hauts indices utilisées pour la réalisation de fils quantiques par croissance directe.

© Les Editions de Physique 1993

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