Appareillage automatisé de mesure simultanée du pouvoir thermoélectrique et de la conductivité électrique. Application à l'étude de couches polymères semi-conductrices

A. Moliton; B. Ratier; C. Moreau; G. Froyer

doi:doi:10.1051/jp3:1991153

Numéro		J. Phys. III France Volume 1, Numéro 5, May 1991


Page(s)		809 - 826
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1991153

DOI: 10.1051/jp3:1991153
J. Phys. III France 1 (1991) 809-826

Appareillage automatisé de mesure simultanée du pouvoir thermoélectrique et de la conductivité électrique. Application à l'étude de couches polymères semi-conductrices

A. Moliton¹, B. Ratier¹, C. Moreau¹ and G. Froyer²

¹ LEPOFI, Faculté des Sciences, 87060 Limoges Cedex, France
² Lab. OCM, CNET, 22301 Lannion Cedex, France

(Reçu le 19 novembre 1990, accepté le 22 janvier 1991)

Abstract
In this paper, we present an automatized system for simultaneous measurement of conductivity $\sigma$ , and thermoelectric power S : measurements are allowed for temperatures ranging from 130 K to 360 K on brittle semiconductor layers. As an example of the application, results obtained in the case of polymer (PPP) layers implanted with Na ions are presented : with high energy implantation ( E = 250 keV) we observe only a defect semiconduction of p type while at low energy (30 keV) an electronic n type conduction appears.

Résumé
Nous présentons dans cet article un système de mesure simultanée de la conductivité $\sigma$ , et du pouvoir thermoélectrique S : il permet des mesures en fonction de la température (entre 130 K et 360 K) dans le cas de couches semi-conductrices relativement fragiles. A titre d'application, nous indiquons les résultats que nous avons obtenus dans le cas de couches polymères (PPP) implantées avec des ions sodium: alors que seule une semi-conduction par défaut est générée par de fortes énergies d'implantation ( E = 250 keV ), il apparaît une semiconduction induite par le dopage n lors d'implantations à basse énergie ( E = 30 keV ).