Simulation des trajectoires d'électrons secondaires pour le test des circuits intégrés au microscope électronique à balayage

(Reçu le 16 mars 1992, accepté le 21 juillet 1992)

Abstract
The requirement to access the effective potential of buried lines during electron beam testing operation yields us to analyse the different impediments involved in the measurement. One of these is the secondary electron pathlength from the irradiated surface to the detector, under different track biasing configurations. This paper summarizes a simulation of the secondary electron trajectories in a testing environment (low incident dose, passivated device, in the lens analyzer). The development of trajectories according to the extraction voltage and the polarization levels is analyzed and related to the effectively measured current in the detector. The software allows us to acknowledge the "transit time" alteration induced by a fast change in the track potential.

Résumé
La nécessité d'accéder au potentiel effectif de pistes enterrées de circuits intégrés lors du test par faisceau d'électrons nous a conduit à analyser les différents facteurs déterminant la mesure. Un de ceux-ci est le trajet suivi par l'électron secondaire de la surface irradiée au détecteur, en présence d'une polarisation des pistes. Ce papier présente une simulation des trajectoires des électrons secondaires en environnement de test (dose incidente faible, circuit passivé, analyseur dans la colonne). L'évolution des trajectoires en fonction du champ d'extraction et des niveaux de polarisation est analysée et reliée au courant effectivement détecté. Le logiciel permet aussi d'étudier la modification de temps de transit provoquée par un changement rapide du potentiel de la piste.