| Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 9, September 1993
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| Page(s) | 1713 - 1718 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993231 | |
J. Phys. III France 3 (1993) 1713-1718
High frequency analysis of fast devices using small-signal Monte Carlo
simulations : application to a 0.1
m-gate MODFET
P. Dollfus, S. Galdin, C. Brisset and P. Hesto Institut d'Electronique Fondamentale, CNRS URA 22, Université Paris XI, Bâtiment 220, 91405 Orsay Cedex, France
(Received 10 November 1992, revised 7 January 1993, accepted 26 January 1993)
Abstract
A method of small signal analysis of fast devices using Monte Carlo simulations
is presented. It consists in expanding the terminal currents and voltages in
Fourier series. It allows to determine the current gain cutoff frequency and to
extract the parameters of an equivalent circuit. This method is applied to
a 0.1
m-gate AlGaAs/InGaAs/GaAs MODFET.
Résumé
Nous présentons une méthode d'analyse petits signaux de composants rapides à
partir de simulations Monte Carlo. Elle consiste à développer en séries de
Fourier les tensions et courants aux électrodes. Elle permet de déterminer la
fréquence de coupure du gain en courant et d'extraire les paramètres d'un
schéma équivalent. Cette méthode est appliquée à un MODFET AlGaAs/InGaAs/GaAs
de longueur de grille 0,1
m.
© Les Editions de Physique 1993