| Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 9, September 1993
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| Page(s) | 1803 - 1808 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993239 | |
J. Phys. III France 3 (1993) 1803-1808
Dislocation slipping, a new technique to produce step-like surfaces, compatible with quantum confinement sizes
F. Voillot1, M. Goiran1, C. Guasch1, J. P. Peyrade1, L. Dinh1, A. Rocher2 and E. Bedel31 Laboratoire de Physique des Solides, INSA de Toulouse, 31077 Toulouse Cedex, France
2 CEMES-LOE, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
3 L.A.A.S. du C.N.R.S., 7 avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
(Received 10 November 1992, accepted 9 February 1993)
Abstract
We propose a method to generate steps at the surface of GaAs single crystals.
This method is based on plasticity properties of GaAs. In the simple slip condition,
the {
} surfaces exhibit a set of very long parallel lines (3 mm)
along
. T.E.M. observations of these surfaces by replica
technique allow to observe very homogeneous regions, over 20
m
2 with step
height
h = 200 Å and step width
Å. Those geometrical dimensions
are compatible with the quantum confinement and make the obtained surfaces alternate
solutions to vicinal surfaces or high-index surfaces used to obtain quantum lines
by direct growth.
Résumé
Nous proposons une méthode de génération de marches sur une surface de
GaAs monocristallin. Cette méthode est basée sur la plasticité de monocristaux de GaAs.
Dans les conditions de glissement simple, les surfaces {
}
présentent un ensemble de lignes parallèles de grande longueur (3 mm) suivant
. L'observation au M.E.T. de cette surface par
la technique des répliques permet de voir des zones très homogènes sur plus
de 20
m
2, avec des marches de hauteur
h = 200 Å et de largeur
Å. Ces dimensions sont compatibles avec le confinement quantique
et les surfaces ainsi obtenues sont une alternative aux surfaces vicinales ou à
hauts indices utilisées pour la réalisation de fils quantiques par croissance directe.
© Les Editions de Physique 1993