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Article cité :

Mechanisms and rate determining steps in plasma induced high rate CVD of silicon an germanium: similarities and differences

S. Vepřek, M.G.J. Vepřek-heijman, O. Ambacher, M. Rückschloss, F. Glatz, R. Konwitschny

J. Phys. III France, 2 8 (1992) 1431-1438

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992187

Citations de cet article :

Role of hydrogen surface coverage during anodic plasma deposition of hydrogenated nanocrystalline germanium

Per R. Poulsen, Mingxiang Wang, Jun Xu, et al.
Journal of Applied Physics 84 (6) 3386 (1998)
https://doi.org/10.1063/1.368497

Quantum Monte Carlo binding energies for silicon hydrides

C. W. Greeff and W. A. Lester, Jr.
The Journal of Chemical Physics 106 (15) 6412 (1997)
https://doi.org/10.1063/1.473612