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Article cité :

Morphology-to-properties correlations in anodic porous InP layers

Lionel Santinacci, Anne-Marie Gonçalves, Muriel Bouttemy and Arnaud Etcheberry
Journal of Solid State Electrochemistry 14 (7) 1177 (2010)
https://doi.org/10.1007/s10008-009-0942-y

Transient photocurrent as a probe to follow n‐InP oxidation

N. C. Quach, I. Gérard, N. Simon and A. Etcheberry
physica status solidi (c) (3) 1033 (2003)
https://doi.org/10.1002/pssc.200306231

Oxygen Reduction Mechanism in Acidic Liquid Ammonia (223 K): Contribution of Pt Microelectrodes and III-V Semiconductors

A-M. Gonçalves, C. Mathieu, M. Herlem and A. Etcheberry
Journal of The Electrochemical Society 148 (1) E8 (2001)
https://doi.org/10.1149/1.1344544

Oxygen reduction mechanisms at p-InP and p-GaAs electrodes in liquid ammonia in neutral buffered medium and acidic media

A.-M Gonçalves, C Mathieu, M Herlem and A Etcheberry
Journal of Electroanalytical Chemistry 462 (1) 88 (1999)
https://doi.org/10.1016/S0022-0728(98)00392-1

Enrichment in tellurium during photodissolution on n-CdTe in sulfuric acid solution

F. Iranzo-Marín, C. Debiemme-Chouvy, I. Gérard, et al.
Electrochimica Acta 42 (2) 211 (1997)
https://doi.org/10.1016/0013-4686(96)00146-6

Uncommon behavior of the p-GaAs electrode during the reduction of oxygen in liquid acidic ammonia

A.-M. Goncalves, C. Mathieu, M. Herlem and A. Etcheberry
Journal of Electroanalytical Chemistry 420 (1-2) 25 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0022-0728(96)01017-0