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Article cité :

Fabrication of 30 nm inter-electrode gap co-planar tunnel junctions with buried electrodes

S. Itoua, C. Joachim, B. Rousset, N. Fabre

J. Phys. III France, 4 5 (1994) 929-935

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1994175

Citations de cet article :

Fabrication of co-planar metal-insulator-metal solid state nanojunctions down to 5 nm

S. Cholet, C. Joachim, J. P. Martinez and B. Rousset
The European Physical Journal Applied Physics 8 (2) 139 (1999)
https://doi.org/10.1051/epjap:1999239

Fabrication of Buried Co-Planar Metal-Insulator-Metal Nanojunctions with a Gap Lower than 10 nm

V. Rousset, C. Joachim, S. Itoua, B. Rousset and N. Fabre
Journal de Physique III 5 (12) 1983 (1995)
https://doi.org/10.1051/jp3:1995243