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Article cité :

Determination of PHEMT's Microwave Noise Parameters Only by Means of the Small-Signal Equivalent Circuit and Experimental Comparisons

D. Gasquet, F. Barberousse, M. de Murcia, W. de Raedt, C. Claeys

J. Phys. III France, 5 5 (1995) 495-507

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995142

Citations de cet article :

Microwave noise modeling of FinFETs

Giovanni Crupi, Alina Caddemi, Dominique M.M.-P. Schreurs, Wojciech Wiatr and Abdelkarim Mercha
Solid-State Electronics 56 (1) 18 (2011)
https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.10.010

HBT's RF noise parameter determination by means of an efficient method based on noise analysis of linear amplifier networks

P. Rouquette, D. Gasquet, T. Holden and J. Moult
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 45 (5) 690 (1997)
https://doi.org/10.1109/22.575587

Influence of kink effect on noise measurements in InP substrate PHEMTs at microwave frequencies

P. Rouquette, D. Gasquet, F. Barberousse, W. De Raedt and Y. Baeyens
Solid-State Electronics 39 (10) 1423 (1996)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(96)00066-4