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Room temperature bonding of SiO2 and SiO2 by surface activated bonding method using Si ultrathin films

Jun Utsumi, Kensuke Ide and Yuko Ichiyanagi
Japanese Journal of Applied Physics 55 (2) 026503 (2016)
https://doi.org/10.7567/JJAP.55.026503

Comparison of oxide leakage currents induced by ion implantation and high field electric stress

D Goguenheim, A Bravaix, C Monserie, et al.
Solid-State Electronics 45 (8) 1355 (2001)
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00265-3