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Article cité :

Post-Diffusion Gettering Effects Induced in Polycrystalline Silicon

M. Loghmarti, K. Mahfoud, L. Ventura, J.C. Muller, D. Sayah, P. Siffert

J. Phys. III France, 5 9 (1995) 1365-1370

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995196

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Références

Citations de cet article :

Enhanced Phosphorus Gettering of Impurities in Multicrystalline Silicon at Low Temperature

Supawan Joonwichien, Isao Takahashi, Satoru Matsushima and Noritaka Usami
Energy Procedia 55 203 (2014)
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2014.08.119