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Article cité :

Properties of Dislocations in HgCdTe Crystals

P.O. Renault, J.F. Barbot, P. Girault, A. Declemy, G. Rivaud, C. Blanchard

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DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995198

Citations de cet article :

Nanoscale Material Removal Mechanism of Soft-Brittle HgCdTe Single Crystals Under Nanogrinding by Ultrafine Diamond Grits

Zhenyu Zhang, Yaxing Song, Fengwei Huo and Dongming Guo
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Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence

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Role of Dislocation Scattering on the Electron Mobility of n-Type Long Wave Length Infrared HgCdTe on Silicon

M. Carmody, D. Edwall, J. Ellsworth, et al.
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The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers

R K Savkina, A B Smirnov and F F Sizov
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Relaxation time for ionized impurity scattering in compensated n-type Hg1-xCdxTe near x=0.2

P Girault, C Blanchard, P Grosbras and J. F Barbot
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