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Article cité :

Photodiode de type Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) sur substrat d'InP

Abdelkader Temmar, Jean Pierre Praseuth, Jean François Palmier, André Scavennec

J. Phys. III France, 6 8 (1996) 1059-1073

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1996105

Citations de cet article :

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Simulation of the Metal-Semiconductor-Metal photodetector based on InGaAs for the photodetection at the wavelength 1.55 μm

M. El Besseghi, A. Aissat and D. Decoster
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Wireless Optical Communications

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Improved resolution method to study at 3D the conduction phenomena inside GaAs PIN photodiode

B. Bouabdallah, Y. Bourezig and B. Benichou
Microelectronics Reliability 50 (3) 447 (2010)
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2009.11.018