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Single-Event Burnout in Vertical β-Ga₂O₃ Diodes With Pt/PtOₓ Schottky Contacts and High-k Field-Plate Dielectrics
S. Islam, A. S. Senarath, E. Farzana, D. R. Ball, A. Sengupta, N. S. Hendricks, A. Bhattacharyya, R. A. Reed, E. X. Zhang, J. S. Speck, D. M. Fleetwood and R. D. Schrimpf IEEE Transactions on Nuclear Science 71(4) 515 (2024) https://doi.org/10.1109/TNS.2024.3370190
Low Leakage and High Gain GaN p-i-n Avalanche Photodiode With Shallow Bevel Mesa Edge Termination and Recessed Window
Zhiyu Xu, Theeradetch Detchprohm, Shyh-Chiang Shen, A. Nepomuk Otte and Russell D. Dupuis IEEE Transactions on Electron Devices 71(6) 3761 (2024) https://doi.org/10.1109/TED.2024.3393932
Effect of overlap region for schottky metal and field oxide on the electrical characteristics of 6500 V/50A 4H-SiC JBS diodes
Design rules for field plate edge termination in SiC Schottky diodes
M.C. Tarplee, V.P. Madangarli, Quinchun Zhang and T.S. Sudarshan IEEE Transactions on Electron Devices 48(12) 2659 (2001) https://doi.org/10.1109/16.974686