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Article cité :

Conductivity and Photoconductivity at Dislocations

R. Labusch

J. Phys. III France, 7 7 (1997) 1411-1424

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997196

Citations de cet article :

Extended Defects in Semiconductors

Extended Defects in Semiconductors 412 (2007)
https://doi.org/10.1017/CBO9780511534850.006

The true potentials and transition barriers at dislocations

R Labusch
Journal of Physics: Condensed Matter 14 (48) 12801 (2002)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/319

Effect of twisting on the behavior of a double-stranded polymer chain: A Monte Carlo simulation

Yu. S. Velichko, K. Yoshikawa and A. R. Khokhlov
The Journal of Chemical Physics 111 (20) 9424 (1999)
https://doi.org/10.1063/1.480035