Réalisation de circuits intégrés I2L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs J. P. Vannel, T. Camps, A. S. Ferreira, J. Tasselh, A. Cazarré, A. Marty et J. P. BailbéJ. Phys. III France, 1 4 (1991) 557-567DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991140
