Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K F. Pitard, E. Tournie, M. Mohou, G. Boissier, J.-L. Lazzari, A.-M. Joullie, C. Alibert, A. Joullie, E. Goarin et J. BenoitJ. Phys. III France, 1 4 (1991) 605-622DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991143
