Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP S. Faye, J. P. Praseuth et A. ScavennecJ. Phys. III France, 1 7 (1991) 1289-1300DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991189
