Application du pompage de charge à trois niveaux aux transistors MOS submicroniques J. L. Autran, B. Balland, C. Plossu, F. Seigneur et L. M. GaborieauJ. Phys. III France, 3 1 (1993) 33-45DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993117
