Erratum: Caractérisation électrique des interfaces P+ - Si - poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore M. Akani, C. E. Benouis et M. BenzohraJ. Phys. III France, 3 11 (1993) 2163DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993278
