Etude des défauts profonds dans l'arséniure de gallium implantés en oxygène et co-implantés en silicium par la méthode FTDLTSA. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P. N. FavennecJ. Phys. III France, 4 6 (1994) 997-1009DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1994180
