Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO$\mathsf{_2}$ par rayonnements ionisantsJean-Luc Autran, Bernard Balland, Jean-Pierre Vallard et Daniel BabotJ. Phys. III France, 4 9 (1994) 1707-1721DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1994235
