Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuilJ. L. Sanchez, H. Tranduc, P. Rossel, G. Charitat et F. H. BehrensJ. Phys. III France, 5 1 (1995) 11-32DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995107
