Croissance de couches de Si$_{\mathsf{1}-x}$Ge$_{x}$ par réaction chimique a partir d'une phase gazeuse : étude thermodynamique et analyse du transfert de matièreH. Rouch, M. Pons, C. Bernard et R. MadarJ. Phys. III France, 5 6 (1995) 759-773DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995159
