Journal de Physique III

Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO$\mathsf{_2}$ par rayonnements ionisants

Jean-Luc Autran, Bernard Balland, Jean-Pierre Vallard et Daniel Babot

J. Phys. III France, 4 9 (1994) 1707-1721

DOI: 10.1051/jp3:1994235

Jean-Luc Autran

Bernard Balland

Jean-Pierre Vallard

Daniel Babot

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