Journal de Physique III

Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuil

J. L. Sanchez, H. Tranduc, P. Rossel, G. Charitat and F. H. Behrens

J. Phys. III France, 5 1 (1995) 11-32

DOI: 10.1051/jp3:1995107

J. L. Sanchez

H. Tranduc

P. Rossel

G. Charitat

F. H. Behrens

Articles written by ALL the selected authors (AND)

Articles written by ANY OF the selected authors (OR)