Journal de Physique III

Deep-Level Transient-Spectroscopy for Localized States at Extended Defects in Semiconductors

H. Hedemann et W. Schröter

J. Phys. III France, 7 7 (1997) 1389-1398

DOI: 10.1051/jp3:1997194

H. Hedemann

W. Schröter

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