Journal de Physique III

Electrical and Structural Properties of Oxygen-Precipitation Induced Extended Defects in Silicon

C. Claeys, E. Simoen et J. Vanhellemont

J. Phys. III France, 7 7 (1997) 1469-1486

DOI: 10.1051/jp3:1997200

C. Claeys

E. Simoen

J. Vanhellemont

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