Etude du phénomème de vieillissement des transistors MOS microniques par l'analyse des caractéristiques DCG
J. Phys. III France, 2 6 (1992) 979-994
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The evolution of the substrate-drain junction parameters during electrical ageing for n-MOS transistor characterization
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Two‐dimensional modelling and characterization of gate‐to‐drain overlap contribution on the leakage current of a MOSFET, used as a GCD
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Effects of high field electron injection into the gate oxide of P-channel metal–oxide–semiconductor transistors
J. M. Moragues, J. Oualid, R. Jerisian and E. CiantarJournal of Applied Physics 74 (8) 5078 (1993)
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