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Article cité :

Hydrogen Diffusion and Trapping in Micro-Nanocrystalline Silicon

L. Lusson, P. Elkaim, A. Correia, D. Ballutaud

J. Phys. III France, 5 8 (1995) 1173-1184

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1995184

Citations de cet article :

Hydrogen evolution during deposition of microcrystalline silicon by chemical transport

N. Pham, P. Roca I Cabarrocas, A. Hadjadj, et al.
Philosophical Magazine 88 (3) 297 (2008)
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Mechanics of Smart-Cut® technology

Xi-Qiao Feng and Y. Huang
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Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices

A. Boutry-Forveille, A. Nazarov and D. Ballutaud
Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices 179 (2000)
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Hydrogen thermal stability in buried oxides of SOI structures

D. Ballutaud, A. Boutry-Forveille and A. Nazarov
Microelectronic Engineering 48 (1-4) 359 (1999)
https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00405-0

SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures

A. Boutry-Forveille
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 1 (1) 108 (1998)
https://doi.org/10.15407/spqeo1.01.108