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Article cité :

The study of the charge collection of the normal‐collector configuration

Chee Chin Tan, Vincent K. S. Ong and K. Radhakrishnan
Progress in Photovoltaics: Research and Applications 21 (5) 986 (2013)
https://doi.org/10.1002/pip.2190

Electron beam-induced current investigation of GaN Schottky diode

A. Matoussi, T. Boufaden, S. Guermazi, et al.
Journal of Electronic Materials 34 (7) 1059 (2005)
https://doi.org/10.1007/s11664-005-0096-3

Minority carrier diffusion lengths and optical self‐absorption coefficient in undoped GaN

A. Matoussi, T. Boufaden, S. Guermazi, B. Eljani, Y. Mlik and A. Toureille
physica status solidi (b) 240 (1) 160 (2003)
https://doi.org/10.1002/pssb.200301870

Determination of the diffusion length and the optical self absorption coefficient using EBIC model

S. Guermazi, H. Guermazi, Y. Mlik, et al.
The European Physical Journal Applied Physics 16 (1) 45 (2001)
https://doi.org/10.1051/epjap:2001192

Ageing phenomena and determination of the optical self absorption coefficient in PN junction

S. Guermazi, Y. Mlik, B. El Jani and C. Grill
The European Physical Journal Applied Physics 16 (1) 53 (2001)
https://doi.org/10.1051/epjap:2001193

Extended generation profile - E.B.I.C model application in the case of a PN junction

S. Guermazi, A. Toureille, C. Grill and B. El Jani
The European Physical Journal Applied Physics 9 (1) 43 (2000)
https://doi.org/10.1051/epjap:2000198