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Metal-n-InP Rectifying Properties Enhancement with Zn Based Metallizations and Diffusion at Moderate Annealing Temperatures

F. Barbarin, C. Guillot, J. Achard, M. Dugay, B. Lauron, D.Z. Kim

J. Phys. III France, 7 7 (1997) 1523-1535

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997205

Citations de cet article :

Temperature-dependent behavior of Ti/p-InP/ZnAu Schottky barrier diodes

Sezai Asubay, Ömer Güllü, Bahattin Abay, Abdulmecit Türüt and Ali Yilmaz
Semiconductor Science and Technology 23 (3) 035006 (2008)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/23/3/035006

Gas sensing properties of pseudo-Schottky diodes on p-type indium phosphide substrates

L. Talazac, F. Barbarin, C. Varenne, et al.
Sensors and Actuators B: Chemical 83 (1-3) 149 (2002)
https://doi.org/10.1016/S0925-4005(01)01055-3

Highly NO2 sensitive pseudo Schottky barrier diodes on p-type InP with improved electrical characteristics

L Talazac, F Barbarin, C Varenne and Y Cuminal
Sensors and Actuators B: Chemical 77 (1-2) 447 (2001)
https://doi.org/10.1016/S0925-4005(01)00723-7

Capacitance-voltage profiling and thermal evolution of the conduction band-offset of unstrained Ga0.47In0.53As/InP single quantum well

C. Guillot, J. Achard, F. Barbarin and M. Dugay
Journal of Electronic Materials 28 (8) 975 (1999)
https://doi.org/10.1007/s11664-999-0207-7