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Citations de cet article :

Two-dimensional modelling and characterization of gate-to-drain overlap contribution on the leakage current of a MOSFET, used as a GCD

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DOI: 10.1002/qre.4680090417
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Correlation of the leakage current and charge pumping in silicon on insulator gate-controlled diodes

K. Seghir, S. Cristoloveanu, R. Jerisian, J. Oualid and A.-J. Auberton-Herve
IEEE Transactions on Electron Devices 40 (6) 1104 (1993)
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Diode ideality factor for MOSFETs characterization of dose effect

E. Bendada, M. De La Bardonnie, P. Mialhe and J.-P. Charles
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DOI: 10.1080/10420159608211507
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Effects of high field electron injection into the gate oxide ofP‐channel metal–oxide–semiconductor transistors

J. M. Moragues, J. Oualid, R. Jerisian and E. Ciantar
Journal of Applied Physics 74 (8) 5078 (1993)
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Surface potential determination in metal‐oxide‐semiconductor capacitors

J. M. Moragues, E. Ciantar, R. Jérisian, B. Sagnes and J. Oualid
Journal of Applied Physics 76 (9) 5278 (1994)
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Sorin Cristoloveanu and Sheng S. Li
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DOI: 10.1007/978-1-4615-2245-4_7
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