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Recombination activity of threading dislocations in GaInP influenced by growth temperature

K. Mukherjee, C. H. Reilly, P. G. Callahan and G. G. E. Seward
Journal of Applied Physics 123 (16) (2018)
https://doi.org/10.1063/1.5018849

GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density

Kevin Nay Yaung, Michelle Vaisman, Jordan Lang and Minjoo Larry Lee
Applied Physics Letters 109 (3) (2016)
https://doi.org/10.1063/1.4959825

Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy

Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko and L. V. Sokolov
Journal of Applied Physics 96 (12) 7665 (2004)
https://doi.org/10.1063/1.1809772

Stand-off positions and nonuniform distributions of misfit dislocations in heterophase systems

M. Yu. Gutkin, A. E. Romanov and E. C. Aifantis
Physica Status Solidi (a) 151 (2) 281 (1995)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211510203

B. Chen, T. Hook, G. Starkey, A. Bhattacharyya, M. Faucher, C. Racine, C. Willets, S. Eslinger, S. Kulkarni, W. King, C. Washburn, J. Piccirillo, S. Mongeon, A. Johnson and E. Gabrielle
301 (1993)
https://doi.org/10.1109/VTSA.1993.263667

T. Hook, B. Chen, G. Starkey, A. Bhattacharyya, M. Faucher, C. Racine, C. Willets, S. Eslinger, S. Kulkarni, W. King, C. Washburn, J. Piccirillo, S. Mongeon, A. Johnson and E. Gabrielle
152 (1993)
https://doi.org/10.1109/ASMC.1993.682502