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Article cité :

The origin of dislocations in multilayers

C. J. Humphreys, D. M. Maher, D. J. Eaglesham, E. P. Kvam, I. G. Salisbury

J. Phys. III France, 1 6 (1991) 1119-1130

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991175

Citations de cet article :

GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density

Kevin Nay Yaung, Michelle Vaisman, Jordan Lang and Minjoo Larry Lee
Applied Physics Letters 109 (3) 032107 (2016)
DOI: 10.1063/1.4959825
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Recombination activity of threading dislocations in GaInP influenced by growth temperature

K. Mukherjee, C. H. Reilly, P. G. Callahan and G. G. E. Seward
Journal of Applied Physics 123 (16) 165701 (2018)
DOI: 10.1063/1.5018849
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On the stand-off positions of misfit dislocations

M. Yu. Gutkin and A. E. Romanov
Physica Status Solidi (a) 144 (1) 39 (1994)
DOI: 10.1002/pssa.2211440106
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Elemental Dislocation Mechanisms Involved in the Relaxation of Heteroepitaxial Semiconducting Systems

B. Pichaud, M. Putero and N. Burle
physica status solidi (a) 171 (1) 251 (1999)
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199901)171:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-9
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Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties

Yasuhiro Shiraki and Akira Sakai
Surface Science Reports 59 (7-8) 153 (2005)
DOI: 10.1016/j.surfrep.2005.08.001
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Stand-off positions and nonuniform distributions of misfit dislocations in heterophase systems

M. Yu. Gutkin, A. E. Romanov and E. C. Aifantis
Physica Status Solidi (a) 151 (2) 281 (1995)
DOI: 10.1002/pssa.2211510203
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Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy

Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko and L. V. Sokolov
Journal of Applied Physics 96 (12) 7665 (2004)
DOI: 10.1063/1.1809772
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