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Article cité :

Hydrogenation of GaAs covered by GaAlAs and subgrain boundary passivation

A. Djemel, J. Castaing, J. Chevallier, P. Henoc

J. Phys. III France, 2 12 (1992) 2301-2307

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992247

Citations de cet article :

Study of surface defects in GaAs by cathodoluminescence: calculation and experiment

A Djemel, A Nouiri and R-J Tarento
Journal of Physics: Condensed Matter 12 (49) 10343 (2000)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/338

Effect of hydrogenation on the properties of extended defects in semiconductors

A. Zozime and J. Castaing
Materials Science and Engineering: B 42 (1-3) 57 (1996)
https://doi.org/10.1016/S0921-5107(96)01683-2