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Citations de cet article :

Optical studies of ultrashort-period GaAs/AlAs superlattices grown on (In,Ga)As pseudosubstrate

M. Rezki, A. M. Vasson, A. Vasson, R. Planel, and G. Patriarche
Physical Review B 58 (12) R7540 (1998)
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.R7540
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Simulation of the Growth of Lattice Mismatched Semiconductors

M. Djafari Rouhani, R. Malek, A.M. Gue and D. Esteve
MRS Proceedings 379 9 (1995)
DOI: 10.1557/PROC-379-9
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Monte Carlo simulation of the effect of interstitial atoms interaction on the heteroepitaxial growth of compound semiconductors

M. Djafari Rouhani, R. Malek, A.M. Gué, G. Bouyssou and D. Estève
Materials Science and Engineering: B 44 (1-3) 82 (1997)
DOI: 10.1016/S0921-5107(96)01750-3
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Simulation of surface morphology and defects in heteroepitaxied thin films

M. Sahlaoui, A. Ayadi, N. Fazouan, et al.
The European Physical Journal Applied Physics 13 (3) 171 (2001)
DOI: 10.1051/epjap:2001131
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C,H,N and O in Si and Characterization and Simulation of Materials and Processes

M. Djafari Rouhani, A.M. Gué, R. Malek, G. Bouyssou and D. Estève
C,H,N and O in Si and Characterization and Simulation of Materials and Processes 25 (1996)
DOI: 10.1016/B978-0-444-82413-4.50073-1
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Computer simulation of the growth of heterostructure systems

M.Djafari Rouhani, R. Malek, S. Kersulis and V. Mitin
Microelectronics Journal 28 (8-10) 1043 (1997)
DOI: 10.1016/S0026-2692(96)00147-4
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Surface morphology due to enhanced migration in heteroepitaxial growth of compound semiconductors

M. Djafari Rouhani, A.M. Gué, R. Malek, G. Bouyssou and D. Estéve
Materials Science and Engineering: B 37 (1-3) 25 (1996)
DOI: 10.1016/0921-5107(95)01452-7
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Monte Carlo simulation of mismatch relaxation and island coalescence during heteroepitaxial growth

M. Djafari Rouhani, R. Malek and D. Estève
Thin Solid Films 318 (1-2) 61 (1998)
DOI: 10.1016/S0040-6090(97)01139-5
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Advanced Materials '93

M. Djafari Rouhani, A.M. Gué, M. Sahlaoui and D. Estève
Advanced Materials '93 307 (1994)
DOI: 10.1016/B978-0-444-81993-2.50077-9
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