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Citations de cet article :

Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence

R. K. Savkina
Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics 10 (3) 61 (2007)
DOI: 10.15407/spqeo10.03.061
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The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers

R K Savkina, A B Smirnov and F F Sizov
Semiconductor Science and Technology 22 (2) 97 (2007)
DOI: 10.1088/0268-1242/22/2/016
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Nanoscale Material Removal Mechanism of Soft-Brittle HgCdTe Single Crystals Under Nanogrinding by Ultrafine Diamond Grits

Zhenyu Zhang, Yaxing Song, Fengwei Huo and Dongming Guo
Tribology Letters 46 (1) 95 (2012)
DOI: 10.1007/s11249-012-9924-9
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Role of Dislocation Scattering on the Electron Mobility of n-Type Long Wave Length Infrared HgCdTe on Silicon

M. Carmody, D. Edwall, J. Ellsworth, et al.
Journal of Electronic Materials 36 (8) 1098 (2007)
DOI: 10.1007/s11664-007-0182-9
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