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Citations de cet article :

Investigation of oxygen penetration during UV nanosecond laser annealing of silicon at high energy densities

R. Monflier, T. Tabata, H. Rizk, J. Roul, K. Huet, F. Mazzamuto, P. Acosta Alba, S. Kerdilès, S. Boninelli, A. La Magna, E. Scheid, F. Cristiano and E. Bedel-Pereira
Applied Surface Science 546 149071 (2021)
DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149071
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Comment on “A model of hole trapping in SiO[sub 2] films on silicon” [J. Appl. Phys. 81, 6822 (1997)]

R. A. B. Devine, W. L. Warren and S. Karna
Journal of Applied Physics 83 (10) 5591 (1998)
DOI: 10.1063/1.367498
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A study of the radiation sensitivity of non-crystalline SiO/sub 2/ films using spectroscopic ellipsometry

B.J. Mrstik, P.J. McMarr, R.K. Lawrence and H.L. Hughes
IEEE Transactions on Nuclear Science 45 (6) 2450 (1998)
DOI: 10.1109/23.736485
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Permanent electric dipoles on gas-suspended particles and the production of filamentary aggregates

John Abrahamson and John Marshall
Journal of Electrostatics 55 (1) 43 (2002)
DOI: 10.1016/S0304-3886(01)00183-8
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Diffusivity measurements of silicon in silicon dioxide layers using isotopically pure material

D. Tsoukalas, C. Tsamis and P. Normand
Journal of Applied Physics 89 (12) 7809 (2001)
DOI: 10.1063/1.1371003
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Full Activation of Boron in Silicon Doped by Self-Assembled Molecular Monolayers

Xuejiao Gao, Ilia Kolevatov, Kaixiang Chen, Bin Guan, Abdelmadjid Mesli, Edouard Monakhov and Yaping Dan
ACS Applied Electronic Materials 2 (1) 268 (2020)
DOI: 10.1021/acsaelm.9b00748
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Passivation of silicon substrate using two-step grown ternary aluminium doped zirconium oxide

Hock Jin Quah, Zainuriah Hassan and Way Foong Lim
Applied Surface Science 493 411 (2019)
DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.07.023
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Impact of SiO2 interfacial layer on the electrical characteristics of Al/Al2O3/SiO2/n-Si metal–oxide–semiconductor capacitors

Nakibinge Tawfiq Kimbugwe and Ercan Yilmaz
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 31 (15) 12372 (2020)
DOI: 10.1007/s10854-020-03783-z
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