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Article cité :

Reduction of Space Charge Recombination Current with a Self Passivated GaAlAs/GaInP/GaAs HBT Structure

R. Bourguiga, J.F. Palmier, C. Dubon-Chevallier

J. Phys. III France, 7 11 (1997) 2153-2157

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997247

Citations de cet article :

Effect of leakage current induced by B+H+implantation in the isolation process for self passivated GaAlAs/GaInP/GaAs HBT

R. Bourguiga, H. Sik, A. Scavennec and H. Bouchriha
The European Physical Journal Applied Physics 19 (3) 195 (2002)
https://doi.org/10.1051/epjap:2002066

Surface passivation of composition graded base in GaAlAs/GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor

R. Bourguiga, H. Sik and A. Scavennec
The European Physical Journal Applied Physics 6 (3) 299 (1999)
https://doi.org/10.1051/epjap:1999187