Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme strong>CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Citations de cet article :

Charged Semiconductor Defects

Engineering Materials and Processes, Charged Semiconductor Defects 233 (2009)
DOI: 10.1007/978-1-84882-059-3_8
Voir cet article

A Spectrum Image Cathodoluminescence Study of Dislocations in Si-Doped Liquid-Encapsulated Czochralski GaAs Crystals

M.A. González, O. Martínez, J. Jiménez, C. Frigeri and J.L. Weyher
Journal of Electronic Materials 39 (6) 781 (2010)
DOI: 10.1007/s11664-010-1108-5
Voir cet article

Study of defects in conformal GaAs/Si layers by optical techniques and photoetching

A.M. Ardila, O. Martı́nez, L.F. Sanz, et al.
Materials Science and Engineering: B 91-92 70 (2002)
DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00974-6
Voir cet article

Selective photoetching and transmission electron microscopy studies of defects in heteroepitaxial GaN

J. L. Weyher, F. D. Tichelaar, H. W. Zandbergen, L. Macht and P. R. Hageman
Journal of Applied Physics 90 (12) 6105 (2001)
DOI: 10.1063/1.1416137
Voir cet article

Electron-beam-induced current observed for dislocations in diffused 4H-SiC P–N diodes

S. Maximenko, S. Soloviev, D. Cherednichenko and T. Sudarshan
Applied Physics Letters 84 (9) 1576 (2004)
DOI: 10.1063/1.1652229
Voir cet article

Recent Advances in Multidisciplinary Applied Physics

M.A. González, L.F. Sanz, M. Avella, et al.
Recent Advances in Multidisciplinary Applied Physics 217 (2005)
DOI: 10.1016/B978-008044648-6.50035-5
Voir cet article

Revealing of defects in CdTe crystals by DSL etching

F. Bissoli, J. L. Weyher, A. Zappettini, M. Zha and L. Zanotti
Crystal Research and Technology 40 (10-11) 1060 (2005)
DOI: 10.1002/crat.200410486
Voir cet article