Journal de Physique III

Réalisation de circuits intégrés I²L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs

J. P. Vannel, T. Camps, A. S. Ferreira, J. Tasselh, A. Cazarré, A. Marty and J. P. Bailbé

J. Phys. III France, 1 4 (1991) 557-567

DOI: 10.1051/jp3:1991140

J. P. Vannel

T. Camps

A. S. Ferreira

J. Tasselh

A. Cazarré

A. Marty

J. P. Bailbé

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