Journal de Physique III

Defect generation and defect annealing upon gettering in floatzone silicon: an ONP study

N. T. Bagraev, V. V. Vysotskaya, S. N. Gorin et Yu. A. Sidorov

J. Phys. III France, 1 5 (1991) 733-747

DOI: 10.1051/jp3:1991152

N. T. Bagraev

V. V. Vysotskaya

S. N. Gorin

Yu. A. Sidorov

articles ayant parmi leurs auteurs TOUS les auteurs sélectionnés (ET)

articles ayant parmi leurs auteurs AU MOINS un auteur identique à ceux sélectionnés (OU)