Journal de Physique III

Evaluation des performances du transistor MOS de puissance sur carbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitesse de commutation

B. Beydoun, P. Rossel, H. Tranduc et G. Charitat

J. Phys. III France, 4 8 (1994) 1383-1396

DOI: 10.1051/jp3:1994207

B. Beydoun

P. Rossel

H. Tranduc

G. Charitat

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