Journal de Physique III

Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuil

J. L. Sanchez, H. Tranduc, P. Rossel, G. Charitat et F. H. Behrens

J. Phys. III France, 5 1 (1995) 11-32

DOI: 10.1051/jp3:1995107

J. L. Sanchez

H. Tranduc

P. Rossel

G. Charitat

F. H. Behrens

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