Journal de Physique III

Etude des défauts profonds dans l'arséniure de gallium implantés en oxygène et co-implantés en silicium par la méthode FTDLTS

A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P. N. Favennec

J. Phys. III France, 4 6 (1994) 997-1009

DOI: 10.1051/jp3:1994180

A. Le Bloa

Dang Tran Quan

Z. Guennouni

P. N. Favennec

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