Numéro
J. Phys. III France
Volume 1, Numéro 4, April 1991
Page(s) 569 - 579
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1991141
DOI: 10.1051/jp3:1991141
J. Phys. III France 1 (1991) 569-579

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction

C. Dubon-Chevalher, F. Ale xandre, E. Caquot and M. Bon

Centre National d'Etudes des Télécommunications, Laboratoire de Bagneux, 196 avenue Henri Ravéra, 92220 Bagneux, France

(Reçu le 30 avril 1990, révisé le 18 juin 1990, accepté le 17 août 1990)

Abstract
The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range of well defined applications, from ultra-high speed logic to microwave circuits., The purpose of this paper is to present a review of the results published in the different areas, and to discuss technological problems which will be key points for further HBTs developments.

Résumé
Le transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) est un composant très performant qui présente une grande diversité de domaines d'applications bien définis, que ce soit pour la logique ultra-rapide, les applications analogiques ou les circuits microondes. L'objectif de ce papier est de présenter une synthèse des résultats déjà publiés dans les différents domaines d'application et de discuter des problèmes technologiques spécifiques au TBH.



© Les Editions de Physique 1991