Spectral responses in near-infrared of the mixed compounds III-V, ternary and quaternary, based on GaSb

B. Mbow; N. Rezzoug; C. Peremarti; A. Mezerreg; C. Llinares

doi:doi:10.1051/jp3:1993109

Numéro		J. Phys. III France Volume 3, Numéro 9, September 1993


Page(s)		1777 - 1782
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1993109

DOI: 10.1051/jp3:1993109
J. Phys. III France 3 (1993) 1777-1782

Spectral responses in near-infrared of the mixed compounds III-V, ternary and quaternary, based on GaSb

B. Mbow, N. Rezzoug, C. Peremarti, A. Mezerreg and C. Llinares

Centre d'Electronique de Montpellier (C.E.M.), Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 05, France

(Received 10 November 1992, revised 4 June 1993, accepted 28 June 1993)

Abstract
From the simulation of the spectral response of the different photodetector devices elaborated in our laboratory (C.E.M.), we determine the influence of geometrical and physical parameters in order to achieve the best photodetector operating at the wavelength 2.55 $\mu$ m. In this paper we present: Gao _0.6In _0.4Sb $_{\rm n}$ /Ga _0.6In _0.4Sb $_{\rm p}$ homojunctions matched on GaSb $_{\rm p}$ substrate, Ga _0.75In _0.25As _0.23Sb $_{\rm p}$ /GaSb $_{\rm n}$ ternary heterojunction and GaSb $_{\rm p}$ /Ga _0.74In _0.26As _0.23Sb $_{\rm0.77p}$ /GaSb $_{\rm n}$ quaternary heterojunction. The GaSb $_{\rm p}$ layer with an energy band gap greater than Ga _0.74In _0.26As _0.23Sb $_{\rm0.77p}$ optical gap will act as a window, reducing the effect of surface recombinaison. Results of the simulation are compared to experimental curves to determine the values of photoelectrical parameters (diffusion length, recombination velocity at the surface ...).

Résumé
Les mesures de réponse spectrale dans la gamme [0,4 eV à 2 eV] ont été effectuées sur des homojonctions, Ga _0,6In _0,4Sb $_{\rm n}$ /Ga _0,6In _0,4Sb $_{\rm p}$ déposées sur un substrat de GaSb et des hétérostructures ternaires Ga _0,75In _0,25Sb $_{\rm p}$ /GaSb $_{\rm n}$ et quaternaires GaSb $_{\rm p}$ /Ga _0,74In _0,26As _0,23Sb $_{\rm0,77p}$ /GaSb $_{\rm n}$ . La couche de GaSbp avec un gap plus grand que celui de Ga _0,74In _0,26As _0,23Sb $_{\rm0,77p}$ joue le rôle d'effet fenêtre. En s'appuyant sur les résultats de la simulation et en accordant les spectres expérimentaux aux spectres théoriques, on détermine les valeurs des paramètres photoélectriques (longueurs de diffusion, les vitesses de recombinaison en surface ... ) intervenant dans le rendement quantique.