DOI: 10.1051/jp3:1995140
J. Phys. III France 5 (1995) 467-481

Gravure hélicon de l'InP en plasma HBr. Morphologie et caractérisation des défauts de surface

J. Etrillard¹, P. Ossart¹, G. Patriarche² and J.M. Francou<sup>3

1</sup>  France Telecom/CNET/PAB, Laboratoire de Bagneux, 196 rue Henri Ravera, BP. 107, 92220 Bagneux Cedex, France
²  Institut des Matériaux de Nantes, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes, France
³  France Telecom, CNET CNS, 38 chemin du vieux chêne, 38243 Meylan, France

(Reçu le 8 juillet, révisé le 10 novembre 1994, accepté le 18 novembre 1994)

Abstract
We report the results of InP etching using a helicon discharge plasma. The etched surface morphology and the pattern profiles were examined by scanning electron microscopy (SEM). Transmission electron microscopy (TEM) was used to observe the sidewall damage for anisotropic etching. Auger electron spectroscopy (AES) was used to obtain the elemental composition in the top 20 nm of the etched surfaces and to evaluate the contamination and desorption. We also characterized surface and subsurface damage in InP etched substrates using photoluminescence intensity. Anisotropic submicronic etched patterns with low damage were obtained with high etch rates. However, a significant amorphisation of the sidewalls have been evidenced by TEM.

Résumé
Nous exposons les résultats de l'étude de la gravure en plasma HBr de l'InP en décharge hélicon en fonction de la température du substrat, de l'énergie ionique, de la pression de travail et de la puissance de source. La morphologie de surface ainsi que les profils de gravure sont éxaminés par microscopie à balayage. Les défauts de flancs sont mis en évidence par microscopie à transmission dans le cas de gravures anisotropes de motifs submicroniques. L'analyse Auger ainsi que des mesures de photoluminescence ont été utilisées pour évaluer la pollution, les désorptions sur une profondeur de 20 nm ainsi que les défauts électriques résultants. Des gravures anisotropes à faibles dommages induits ont été obtenues avec des vitesses de gravure très acceptables. Cependant une importance amorphisation des flancs a été mise en évidence.

© Les Editions de Physique 1995