Numéro
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 4, April 1993
Page(s) 745 - 756
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1993160
DOI: 10.1051/jp3:1993160
J. Phys. III France 3 (1993) 745-756

Couches minces diélectriques de phosphate d'aluminium

S. Daviéro, C. Avinens, A. Ibanez, J. C. Giuntini and E. Philippot

Lab. Physicochimie des Matériaux Solides, UM II, URA D0407, 34095 Montpellier Cedex 05, France

(Reçu le 25 mai 1992, révisé le 7 septembre 1992, accepté le 25 septembre 1992)

Abstract
Aluminium phosphate thin films on silicium substrate have been carried out from tributylphosphate and aluminium acetylacetonate precursors in solution through the "pyrosol" process. It can be observed a large range of chemical analysis in terms of experimental conditions. These thin films have been characterized by X-ray diffraction and infrared spectrometry. Their electrical characteristics, defined from direct current and alternative current measurements, are quite different to those of the crystallized phosphate and can be explained by P-O and Al-O "dangling bond" existence.

Résumé
Réalisation de couches minces de phosphate d'aluminium sur substrat de silicium à partir des précurseurs tributylphosphate et acétylacétonate d'aluminium en solution par la méthode "pyrosol". La composition chimique des dépôts varie rapidement en fonction des conditions expérimentales. Ces couches minces sont caractérisées par spectrométrie infrarouge et diffraction des RX. Leurs caractéristiques électriques, déterminées par conductivité électrique en courant continu et alternatif, sont nettement différentes de celles du phosphate d'aluminium cristallisé et s'expliquent par l'existence de "liaisons pendantes" AI-O et P-O.



© Les Editions de Physique 1993